目錄:華兆科技（廣州）有限公司>>半導(dǎo)體設(shè)備>>原子層沉積設(shè)備ALD>> Atomfab ALD原子層沉積系統(tǒng)
| 參考價(jià) | 面議 |
| 參考價(jià) | 面議 |
更新時(shí)間：2026-03-05 11:03:54瀏覽次數(shù)：68評(píng)價(jià)
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息，謝謝!
| 價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,生物產(chǎn)業(yè),電子/電池,航空航天,綜合 |
|---|
Atomfab ALD原子層沉積系統(tǒng)為GaN功率器件和射頻器件提供快速、低損傷、低運(yùn)營(yíng)維護(hù)成本的等離子體原子層沉積（ALD）加工。
Atomfab ALD原子層沉積系統(tǒng)提供能滿足客戶的生產(chǎn)需求的解決方案
低運(yùn)營(yíng)維護(hù)成本
維護(hù)速度快且方便
優(yōu)異的薄膜均勻性
材料質(zhì)量高
襯底損傷低
循環(huán)時(shí)間更短，高產(chǎn)出
可群集和自動(dòng)化晶片傳送
Atomfab的ALD技術(shù)可提供精確控制的超薄薄膜，適用于納米級(jí)的高級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域，為敏感襯底結(jié)構(gòu)提供保形涂層。
功率器件和射頻器件鈍化的工藝優(yōu)勢(shì)
由我方工程師保證工藝設(shè)置
為附加/新工藝提供全壽命工藝支持
低損傷等離子體加工
高質(zhì)量沉積，低膜污染
低粒子位準(zhǔn)
等離子體暴露時(shí)間短，高產(chǎn)出
等離子體表面預(yù)處理
GaN功率器件和射頻器件等離子體ALD的優(yōu)勢(shì)
在沉積前進(jìn)行等離子體預(yù)處理以提高界面質(zhì)量
損傷低，沉積均勻
遠(yuǎn)程等離子體ALD具有接近零至30 ev的可控離子能量
ALD鈍化，Al2O3薄膜柵極介電層。
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
會(huì)員.png)
1
化工儀器網(wǎng)