快速退火爐 返回列表頁

真空快速退火爐AS-OneAS-One是一種通用的RTP系統，可用于開發快速熱退火和快速熱CVD工藝。可以搭配分子泵實現高真空下熱處理工藝。最高溫度1500 ℃，最快升溫速率200℃/Second。

AS-One是一種通用的RTP系統，可用于開發快速熱退火和快速熱CVD工藝。

可以搭配分子泵實現高真空下熱處理工藝。

最高溫度1500℃，升溫速率200℃/Second。

全程PC軟件控制升溫程序，保證溫度不過沖，控溫精度準確。

快速退火爐應用：

RTA（快速熱退火）

RTO（快速熱氧化）

歐姆接觸退火

植入退火

石墨烯和hBN的快速熱化學氣相沉積RTCVD

硒化，硫化

結晶和致密化

產品特點：

1、紅外鹵素燈管加熱，冷卻采用風冷（低噪音水平，無需壓縮空氣）

2、加熱由功率控制而非電壓控制，避免了由于燈絲老化電阻改變導致的后續使用中加熱不均的問題，保證了良好的重現性及均溫性，即使在后續使用過程中更換了部分新的燈管也可以達到最初的熱處理效果

3、石英腔體，腔體冷卻采用水冷，冷壁設計，雙層不銹鋼

冷壁水冷技術優點在于：

1、無記憶

2、工藝重復性高

3、冷卻速度快

4、反應腔室的設計，氣體的進入口設計在wafer的表面，避免在退火過程中冷點的產生。很好的保證了樣品在加熱過程中的均溫性

5、快速數字PID控溫

6、熱電偶配合高溫計控溫，測試樣品的溫度

7、大氣和真空工藝均適合，凈化氣體配針閥

8、最多5路工藝氣體，配數字質量流量控制器

9、電腦通過以太網連接更快的數據傳輸速度

10、可選配石墨托盤表面涂SiC薄膜設計，用于小樣品測試

11、可選配分子泵，用于高真空測試

產品標準配置及規格參數：

1、樣品尺寸：AS-One100：4-inch；AS-One150 ：6-inch；

2、溫度范圍：

AS-One100室溫~1250 ℃；（室溫~1500 ℃可選）

AS-One150室溫~1200 ℃；（室溫~1300 ℃可選）

3、升溫速率：

AS-One100 ：0.1 ℃~250℃/s ；

AS-One150 ：0.1 ℃~200℃/s ；

4、溫度控制：快速數字PID控制；

5、熱電偶：2個K型熱電偶；

6、低溫高溫計溫度范圍：150℃~1100℃；

7、高溫高溫計溫度范圍：400℃~1500℃；

8、工藝氣體氣路配質量流量計；

9、配置真空泵及真空規。