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    Hellma氟化鈣LD-A-級CaF? 193nm深紫外光學(xué)應(yīng)用

    閱讀:135          發(fā)布時間:2026-2-9

    Hellma氟化鈣LD-A-級CaF?  193nm深紫外光學(xué)應(yīng)用

    在深紫外(DUV)光學(xué)檢測、光刻、激光加工、光譜分析等領(lǐng)域,光學(xué)窗口、棱鏡、透鏡等核心元件的材料性能直接決定系統(tǒng)的精度與穩(wěn)定性。德國Hellma Analytics旗下的LD-A-級氟化鈣(CaF?)晶體,針對193nm深紫外波長優(yōu)化制備工藝,具備極低的深紫外吸收、超高的光學(xué)均勻性、優(yōu)異的熱穩(wěn)定性與化學(xué)惰性,成為193nm波段光學(xué)系統(tǒng)的材料。該型號氟化鈣晶體突破了傳統(tǒng)光學(xué)材料在深紫外波段的性能瓶頸,其技術(shù)優(yōu)勢在半導(dǎo)體光刻、深紫外光譜分析、激光微加工、環(huán)境監(jiān)測等行業(yè)的應(yīng)用中得到充分驗證,奠定了Hellma在光學(xué)晶體領(lǐng)域的地位。

     Hellma LD-A-級CaF?(193nm)核心技術(shù)優(yōu)勢解析

    Hellma LD-A-級CaF?(193nm)作為超高純度氟化鈣晶體的規(guī)格,核心優(yōu)勢體現(xiàn)在光學(xué)性能、晶體品質(zhì)、機(jī)械特性、環(huán)境適配四大維度,針對193nm深紫外波段的應(yīng)用痛點形成系統(tǒng)性解決方案:

     極低的深紫外吸收,保障193nm波段高透光率

    Hellma LD-A-級CaF?晶體采用**真空坩堝下降法(VB法)** 結(jié)合區(qū)熔提純工藝制備,原料選用99.9999%(6N)超高純氟化鈣,雜質(zhì)含量(如Fe、Cu、Si、OH?等)控制在ppb級別。在193nm深紫外波段,該晶體的線性吸收系數(shù)≤0.001 cm?1,遠(yuǎn)低于普通工業(yè)級CaF?(吸收系數(shù)≥0.01 cm?1),室溫下對193nm波長的透光率≥92%(10mm厚度),且透光率在-50℃~+200℃溫度范圍內(nèi)波動≤0.5%,無明顯的溫度誘導(dǎo)吸收峰。

    同時,晶體經(jīng)特殊的表面拋光工藝處理,表面粗糙度Ra≤0.5nm,表面平整度≤λ/20(λ=632.8nm),有效降低193nm波段的表面反射損耗,鍍膜后的光學(xué)元件反射率可控制在≤0.1%@193nm,大化提升深紫外光的傳輸效率,避免因材料吸收或反射導(dǎo)致的光學(xué)系統(tǒng)能量損耗與熱畸變沈陽漢達(dá)森yyds吳亞男。

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