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Laser Components雪崩光電二極管近紅外返回列表頁

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產(chǎn)品型號(hào)IAG080X、IAG200X、IAG350X

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所在地深圳市

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更新時(shí)間：2025-12-11 17:20:33瀏覽次數(shù)：68次

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產(chǎn)地類別	進(jìn)口	價(jià)格區(qū)間	1-2千
應(yīng)用領(lǐng)域	綜合

產(chǎn)地類別

進(jìn)口

價(jià)格區(qū)間

1-2千

應(yīng)用領(lǐng)域

綜合

1100~1700nm,有效感光區(qū)域直徑80-500μm，InGaAs雪崩光電二極管

LASER COMPONENTS推出的InGaAs近紅外雪崩光電探測(cè)器可探測(cè)1100納米至1700納米光譜范圍。與鍺APD相比，近紅外雪崩光電二極管具有顯著更優(yōu)的噪聲特性。相對(duì)于其有效面積，它們能提供更高的帶寬，并且得益于其高達(dá)1700納米的增強(qiáng)靈敏度而具有優(yōu)勢(shì)。

LC銦鎵砷APD探測(cè)器具備IAG與IAL兩種型號(hào)，IAG系列近紅外雪崩光電探測(cè)器具有低噪聲特性。IAG系列近紅外雪崩光電探測(cè)器可在放大因子M=30下工作，傳統(tǒng)APD在放大倍數(shù)約為M=10時(shí)，噪聲就已非常強(qiáng)，以至于幾乎無法實(shí)現(xiàn)有效的信號(hào)探測(cè)。特別是在環(huán)境光較弱的應(yīng)用中，這些銦鎵砷APD探測(cè)器可以在高放大倍數(shù)下運(yùn)行，并顯著提高其靈敏度。對(duì)于三維掃描儀和測(cè)距儀而言，可以實(shí)現(xiàn)相當(dāng)大的測(cè)量范圍。IAG系列雪崩光電二極管是市面上可獲得的尺寸大的LC近紅外雪崩光電二極管，在1000至1630納米波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有高響應(yīng)度和極快的上升/下降時(shí)間。其在1550納米處的峰值響應(yīng)度非常適用于人眼安全測(cè)距應(yīng)用、自由空間光通信、OTDR（光時(shí)域反射儀）以及高分辨率光學(xué)相干斷層掃描。InGaAs近紅外探測(cè)器芯片采用改良的TO-46封裝進(jìn)行氣密封裝。亦可提供表貼（SMD）和帶尾纖的版本。IAG系列銦鎵砷APD探測(cè)器提供有效區(qū)域直徑分別為80μm、200μm或350μm的產(chǎn)品。而除了IAG以外在許多測(cè)距應(yīng)用中，M=20的增益足夠。在這些情況下，IAL系列的LC近紅外雪崩光電二極管為IAG系列的探測(cè)器提供了一個(gè)高性價(jià)比的替代選擇。它們?cè)O(shè)計(jì)用于800納米至1700納米之間的波長(zhǎng)，并在幾乎整個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)70%的量子效率。Laser Components雪崩光電二極管近紅外

Laser Components雪崩光電二極管近紅外

1100~1700nm InGaAs雪崩光電二極管系列特點(diǎn)：

-IAG具備80、200或350μm有效感光區(qū)域，IAL具備woo或500μm有效感光區(qū)域

-InGaAs近紅外探測(cè)器高達(dá)2.5GHz的帶寬

-在1000至1600納米范圍內(nèi)量子效率（QE）超過70%

-低暗電流和低噪聲

-改良型TO-46封裝或陶瓷基座

-可提供光纖耦合版本

1100~1700nm InGaAs雪崩光電二極管系列應(yīng)用：

-測(cè)距

-光通信系統(tǒng)

-光學(xué)相干斷層掃描

-弱光檢測(cè)

1100~1700nm銦鎵砷APDs的IAG規(guī)格參數(shù)：

InGaAs近紅外雪崩光電二極管通用特性（環(huán)境溫度T=21°C）

參數(shù)項(xiàng)目	最小值	典型值	最大值
波長(zhǎng)范圍(nm)	1000		1630
峰值靈敏度(nm)		1550

InGaAs近紅外雪崩光電二極管絕對(duì)最大額度值：IAG080X/IAG200X/IAG350X

參數(shù)項(xiàng)目	最小值	典型值	最大值
儲(chǔ)存溫度(°C)	-60		125
工作溫度(°C)			85
最大反向電流(mA)			1
最大正向電流(mA)			10
光輸入(10ns脈沖)(kW/cm2)			200
光輸入(平均)(dBm)			0/0/2
焊接溫度(15秒內(nèi))(°C)			260

InGaAs近紅外雪崩光電二極管電氣特性（殼溫Tc=25°C,波長(zhǎng)λ=1550nm）

參數(shù)項(xiàng)目	IAG080X			IAG200X			IAG350X
參數(shù)項(xiàng)目	最小值	典型值	最大值	最小值	典型值	最大值	最小值	典型值	最大值
有效區(qū)域直徑(μm)	78	80	82	200	205	210	350	352	355
響應(yīng)度@M=1(A/W)	0.85	0.94	1.05	0.09	0.94	1.05	0.90	0.94	1.05
暗電流@M=10(nA)		-3	15		25	50		50	250
工作電壓Vr@M=10(V)		60	70		55	65		45	60
擊穿電壓Vbr(Id=10μA)(V)	45	66	75	45	60	75	30	55	70
電容(pF)	0.32	0.35	0.40		1.7	2.1	35	4.1	4.6
Vbr溫度系數(shù)(V/°C)		0.075			0.075			0.075
帶寬@M=5(GHz)	2.0	2.5	3.0	0.5	1.0	1.5		0.6
帶寬@M=10(GHz)	2.0	2.5	3.0	0.5	1.0	1.5		0.6
帶寬@M=20(GHz)	1.5	2.2	2.5	0.5	0.8	1.2		0.6
超噪因子F@M=10		3.2	3.7		3.2	3.7		3.2	3.7
超噪因子F@M=20		5.5	6.0		5.5	6.0		5.5	6.0
NEP@M=10(pW/√Hz)		0.04	0.07		0.07	0.2		0.12

~1700nm銦鎵砷APDs的IAL規(guī)格參數(shù)：

近紅外InGaAs雪崩探測(cè)器通用特性（環(huán)境溫度T=21°C）

參數(shù)項(xiàng)目	最小值	典型值	最大值
波長(zhǎng)范圍(nm)	800		1700
峰值靈敏度(nm)		1550

近紅外InGaAs雪崩探測(cè)器絕對(duì)最大額度值：IAG080X/IAG200X/IAG350X

參數(shù)項(xiàng)目	最小值	典型值	最大值
儲(chǔ)存溫度(°C)	-45		100
工作溫度(°C)	-40		85
最大反向電流(mA)			5
最大正向電流(mA)			3
光輸入(M=10;10ns;10kHz)(mW)			1
平均光輸入(M=10;10ns;10kHz)(mW			2
焊接溫度(10秒內(nèi))(°C)			260

近紅外InGaAs雪崩探測(cè)器電氣特性（殼溫Tc=25°C,波長(zhǎng)λ=1550nm）

參數(shù)項(xiàng)目	IAL200XX			IAL500XX
參數(shù)項(xiàng)目	最小值	典型值	最大值	最小值	典型值	最大值
有效直徑(μm)		200			500
波長(zhǎng)范圍(nm)	800		1700	800		1700
峰值靈敏度(nm)		1550			1550
響應(yīng)度@M=1(A/W)		0.9			0.9
暗電流@M=10(nA)		25	50		40	250
工作電壓Vr@M=10(V)	36	51	56	37	52	57
擊穿電壓Vbr(Id=10μA)(V)	40	55	60	40	55	60
電容@M=10(pF)		2.4			5
Vbr溫度系數(shù)(V/°C)		0.11	0.15		0.11	0.2
帶寬@M=10;R=50Ω(GHz)		0.6		0.25	0.5
上升時(shí)間@M=10;R=50Ω(ps)		500			700
超噪因子F@M=10					6
NEP@M=10(pW/√Hz)				0.06		2