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日立 SU-5000 場發射電鏡到貨通知
閱讀：29 發布時間：2026-3-6二手 HITACHI SU-5000 高分辨掃描電鏡
尊敬的客戶：你好
最新消息：2026年3月6號心怡創科技到貨了；到貨了；到貨了；到貨了；都是無損檢測分析設備；
電鏡儀器型號如下：HITACHI SU-5000
在心怡創整體員工銷售和售后兩個團隊的協助下，完成了儀器在倉庫的安裝。主要還是由售后林工和陳工的協助下
入庫擺放工作。
位置：深圳市寶安區西鄉街道固戍社區深圳前灣硬科技產業園
二手 HITACHI SU-5000 冷場發射電鏡
一、技術參數：
基本概述
核心技術參數
| 項目 | 參數詳情 |
|---|---|
| 分辨率 | 1.2 nm @ 30 kV（高真空 SE）；3.0 nm @ 1 kV；2.0 nm @ 1 kV（減速模式，選配）；3.0 nm @ 15 kV（低真空模式，選配） |
| 放大倍率 | 底片：10–600,000×；顯示：18–1,000,000×（800×600）、30–1,500,000×（1280×960） |
| 電子槍 | ZrO/W 肖特基熱場發射電子槍 |
| 加速電壓 | 0.5–30 kV（0.1 kV 步進）；減速模式著陸電壓 0.1–2.0 kV |
| 最大束流 | >200 nA（滿足 EDS/WDS/EBSD 高效定量） |
| 探測器標配 / 選配 | 標配低位 SE 探測器；選配頂位 SE、PD-BSD 五分割背散射、UVD 低真空探測器 |
| 5 軸樣品臺 | X:0–100 mm，Y:0–50 mm，Z:3–65 mm，T:-20° 至 90°，R:360° 連續；最大樣品 Φ200 mm×80 mm |
| 真空系統 | 高真空 + 低真空（10–300 Pa），換樣抽至觀察真空≤3 分鐘 |
關鍵功能特點
EM Wizard 智能控制：一鍵式條件選擇、自動光軸校準、實時圖像優化，降低操作門檻；3D MultiFinder 實現傾斜 / 旋轉時圖像自動居中對焦。
低電壓 / 低真空強性能：100 V 極低壓成像，減少電子束損傷；UVD 探測器在低真空下依然保持高信噪比，適合不導電、含水、多孔樣品（如生物、高分子、陶瓷）。
大樣品 + 快速換樣：抽拉式樣品倉，支持 Φ200 mm 的大直徑樣品，開倉換樣無需復雜抽真空等待。
多分析附件兼容：無縫對接 EDS（能譜）、WDS（波譜，高精度成分）、EBSD（背散射電子衍射，晶體取向 / 織構），可實現形貌–成分–晶體結構一體化表征。
可選配置與附件
探測器類：頂位高分辨 SE 探測器、PD-BSD（5 分割半導體 BSE，襯度可調）、UVD 低真空探測器；
分析模塊：EDS（牛津 / 布魯克等）、WDS、EBSD、陰極熒光（CL）；
樣品處理 / 環境：低溫臺、真空鍍膜儀（噴金 / 噴碳）；
軟件擴展：3D 重建、自動拼圖、顆粒統計。
維護保養要點
電子槍維護：肖特基槍需穩定真空與控溫，避免頻繁斷束；定期檢查燈絲壽命，清潔電子光學通道（防污染影響分辨率）；
真空系統：保持真空泵油 / 離子泵正常狀態，定期更換濾芯；低真空模式后及時恢復高真空，防止污染擴散；
探測器清潔：SE/BSD 探測器窗口避免樣品顆粒濺射，定期用無水乙醇擦拭（斷電真空恢復后操作）；
樣品臺校準：長期使用后需執行 5 軸自動校準，確保移動精度與圖像無漂移；
軟件與硬件備份：定期更新 EM Wizard 固件，備份參數與數據，防止系統異常導致數據丟失。
典型應用領域
材料科學：納米顆粒、薄膜、復合材料的形貌與成分分析；
半導體與電子：芯片失效分析、封裝材料、PCB 微結構；
生命科學與生物：細胞、組織（臨界點干燥 / 冷凍）、微生物表面結構；
地質與礦物：巖石、礦物的微區成分與晶體取向；
高分子與聚合物：PTFE、塑料、纖維的表面與斷面形貌。
補充信息與資源
資料：日立高新 SU5000 中文頁面；
選型建議：若以低電壓、絕緣樣品為主，優先選配減速模式 + 頂位 SE+UVD；若需做 EBSD，需配合大束流與 PD-BSD 探測器；
運行環境：建議恒溫 20–24℃，濕度 40%–60%，無振動、無強電磁干擾的實驗室。