半導體晶圓熱處理系統

這款半導體晶圓熱處理系統是為半導體晶圓在可控氣體、真空、氧化或還原氣氛中的晶圓高溫處理系統，可對晶圓真空退火，氧氣退火處理。

鋁室的特殊設計允許在*溫度（高達1300°С）下進行熱退火，并結合長時間退火（高達60分鐘）。

該半導體晶圓熱處理系統既可用于研發活動，也可用于中試生產。加工后的晶圓最大直徑為150mm。
半導體晶圓熱處理系統的優點之一是加熱器和反應器加熱晶片分離。加熱器由位于反應器外部的鹵素燈組成，通過工藝室中的石英窗口加熱石墨工作臺。這種加熱器允許進行最高溫度高達1300°С、加熱速率高達150°С/秒的工藝。水冷鋁室允許進行長期退火。反應器可在工藝氣體排氣后進行初步泵送。

半導體晶圓熱處理系統特色

•帶水冷的鋁制工藝室

•帶空氣冷卻的鹵素燈加熱裝置

•通過膜或可選渦旋泵對工藝室進行初步泵送

•泵送和氣體吹掃的自動化，允許通過?一鍵按下?執行過程

•內置PID控制器的多級過程

•光學高溫計，用于額外的溫度控制（可選），光學進入150 mm晶圓的中心和邊緣

•工作臺溫度由兩個熱電偶控制

•易于操作和維護

半導體晶圓熱處理系統可訂購型號

•真空熱退火

•在受控氣體環境中進行熱退火，并用惰性氣體持續吹掃試驗箱

•在自動保壓的受控氣體氣氛中進行熱退火

半導體晶圓熱處理系統規格參數

工藝過程反應器中的極限壓力:<10Torr (可選<5×10

^-7）

泵浦速率： 5    m^3/h

反應器壁水冷： 是的

zui大晶圓直徑：150mm

zui大加熱速率：200℃/s  (不帶電極夾具）

zui大加熱速率：50℃/s  (帶電極夾具）

zui大加熱溫度：1300℃

熱均勻性@100mm直徑：  +/-1(<500攝氏度）， +/-2(<1300℃）

真空退火：標配

氧氣退火：　標配

自動化退貨：標配